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sexta-feira, 8 de dezembro de 2017

Novas tecnologias que podem ser a nova geração de memórias magnéticas

Por Vitor Vidal em 07/12/2017 no site Profissionais TI

Memórias magnéticas tem um papel de destaque no mundo da tecnologia. Os HDs são o exemplo clássico, ainda em pleno uso e bastante comuns. Dentre as diversas tecnologias de memórias e armazenamento, o uso de um meio magnético sempre foi um conceito importante. Além dos HDs, outras mídias que se baseiam em armazenamento magnético são os Floppy Discs e as fitas K7 e VHS, todos já em desuso.
Neste artigo vamos falar de duas tecnologias que estão sendo pesquisadas que têm potencial para se tornar a base para novos dispositivos de memória magnética. A primeira é a MELRAM – Magnetoeletric RAM, que tem sido estudada por centros de pesquisa como o MIPT – Moscow Institute of Physics and Technology e University of Valenciennes (França). A segunda são as memórias baseadas em Skyrmions magnéticos, uma novidade ainda em processo de amadurecimento, mas que recentemente teve grandes avanços na ASTAR – Singapore’s Agency for Science, Technology and Research  e na NTU – Nanyang Technological University.
Memórias magnéticas
Fitas magnéticas e Floppy Discs são bons exemplos de memórias magnéticas. Créditos: Photograph: Robert Jacek Tomczak

As memórias magnéticas 

O princípio de funcionamento das memórias magnéticas é relativamente simples. Consiste em utilizar um meio magnetizável no qual diferentes micro-regiões possam ser polarizadas de forma diferente. Assim, cada bit 0 ou 1 é representado por uma orientação magnética diferente.
O processo de escrita basicamente consiste na polarização dessas regiões de acordo com o padrão de 0s e 1s a serem armazenados. A leitura, grosso modo, é a operação de detectar a orientação magnética de cada setor para determinar cada bit de informação. Em geral, uma cabeça de leitura-escrita é usada para fazer essas operações ao mover-se pela superfície do material magnético.
Diferentes tecnologias e dispositivos variam em como a cabeça de leitura percorre a superfície da mídia e como as regiões são organizadas, mas o princípio é o mesmo.
A grande vantagem das memórias magnéticas é, além de serem não-voláteis, o seu preço, bem menor do que outras tecnologias de armazenamento. A principal desvantagem é a velocidade, bem menor do que memórias RAM, por exemplo.
As memórias MELRAM são um avanço principalmente em relação à redução do consumo de energia a cada operação de leitura/escrita. Potenciais memórias baseadas em Skyrmions também são mais eficientes, e representariam um salto em capacidade e estabilidade. 

Memórias RAM magnetoelétricas 

As memórias MELRAM foram desenvolvidas a partir de uma nova arquitetura baseada em camadas de liga TbCo2  e liga FeCo(Ferro-Cobalto). A nova arquitetura é não volátil e pode reduzir o consumo de energia para operações de leitura/escrita por um fator de 10 mil ou mais. 
Cada célula de memória MELRAM é constituída de um material piezoelétrico(que possui a propriedade de se deformar em resposta a uma tensão elétrica e vice-versa) e uma estrutura de camadas de alta magnetoelasticidade, o que significa que sua magnetização depende da tensão mecânica aplicada a ela. Assim, aplicando-se um sinal elétrico na camada piezoelétrica, gera-se deformações mecânicas que polarizam a camada magnetoelástica.
O que permite a utilização desse conjunto como memória é o fato de sua estrutura ser anisotrópica, ou seja, é organizada de forma diferente dependendo do eixo de referência na sua estrutura. Devido a isso, cada célula pode ser magnetizada ao longo de duas direções, que são os 0s e 1s usados para armazenar informação. (Explicação detalhada). 
MELRAMs
Novas tecnologias de memórias magnéticas. As células MELRAM possuem uma camada piezoelétrica deformável que chaveia as camadas de TbCo2 e FeCo para mudar os seus pólos magnéticos, ou seja, mudar entre 0 e1. (Fonte: MIPT)
A principal vantagem em relação a DRAM e RAM, é o fato de ser uma memória não-volátil, não perdendo suas informações ao ser desligada. A principal desvantagem é que a cada processo de leitura, logo após o bit ser lido, o mesmo é perdido, sendo necessário reescrevê-lo logo em seguida.
Apesar de o protótipo ainda não ser adequadamente miniaturizado, os pesquisadores já anteveem aplicações em memórias com consumo ultra-baixo. Ao todo 6 centros de pesquisa e universidades da Rússia e França desenvolveram o protótipo. 

Memórias baseadas em skyrmions magnéticos

No caso das memórias baseadas em Skyrmions, ainda não existe um protótipo de dispositivo de armazenamento. Mas recentemente, pesquisadores de Singapura conseguiram dar o passo que é visto como divisor de águas para o desenvolvimento de dispositivos que usem essa tecnologia.
Os Skyrmions magnéticos foram previstos teoricamente em 1962 pelo físico britânico Tony Hilton Royle Skyrme, e observados experimentalmente em 2009  em temperaturas extremamente baixas. Em 2013 foram descobertos à temperatura ambiente em pilhas de camadas de ligas e metais diferentes. Desde então cresceram as apostas em pesquisas para desenvolver memórias que os utilizem.
É mais simples pensar um Skyrmion em termos de seu funcionamento. Eles se comportam como partículas magnéticas na escala de nanômetros. Possuem a capacidade de se organizar em matrizes ou estruturas determinadas e, mais importante, podem ser criados, deletados e movidos, um por um, por meio de correntes elétricas. Devido à sua topologia, são também chamados de Vórtices magnéticos. 
Array de Skyrmions magnéticos
Array de Skyrmions magnéticos. Fonte: www.eetimes.com(vide referências)
A figura acima mostra uma ilustração do campo de vetores magnéticos  nos Skyrmions. 
O avanço feito pelos pesquisadores da ASTAR e NTU foi desenvolver um filme multicamadas que serve de plataforma para a formação e controle dos Skyrmions magnéticos. Trata-se de uma sequência de Ir, Fe, Co e Pt, ou seja, uma estrutura com quatro camadas, que pode ser repetida mais de uma vez. Essa plataforma permitiu o controle das interações magnéticas que governam as propriedades dos Skyrmions por meio da variação da espessura das camadas constituintes da plataforma.
Como seria o mecanismo exato de leitura e escrita e como fabricar equipamentos que garantam estabilidade magnética são os próximos grandes desafios dos pesquisadores. Embora não seja ainda um protótipo de memória, a tecnologia já começa a tomar forma, e seria uma grande mudança no princípio de funcionamento dos dispositivos de armazenamento magnético.
As referências e divulgação dessas novas tecnologias estão indicadas abaixo e são ótimas fontes de informações e maiores detalhes. Este texto não se trata de um artigo essencialmente técnico, mas busca divulgar essas inovações. Caso você tenha outras referências e sugestões, compartilhe conosco! 
Referências:

terça-feira, 29 de agosto de 2017

MELRAM: Memória magnética com consumo quase zero

MELRAM: Memória magnetoelétrica tem consumo quase zero
A memória magnetoelétrica usa efeitos mecânicos, elétricos e magnéticos para guardar os dados. [Imagem: MIPT]
Memória magnetoelétrica
Uma equipe de pesquisadores da França e da Rússia acaba de obter um resultado revolucionário na área das memórias e do processamento de dados em geral: eles desenvolveram uma memória de acesso aleatório magnetoelétrica (MELRAM), que funciona a temperatura ambiente e diminui a geração de calor por várias ordens de grandeza nas operações de leitura dos dados.
O protótipo ainda é grande, medindo quase um milímetro, mas a equipe garante que sua solução pode ser miniaturizada sem nenhum efeito adverso sobre sua eficiência, o que torna a MELRAM promissora para aplicações em computadores com boot instantâneo, pendrives de consumo próximo a zero e centros de armazenamento de dados que exijam menos ar condicionado.
Tem havido um enorme esforço para a criação de novos tipos de memória mais energeticamente eficientes porque mais de 99% do consumo de energia para o processamento e armazenamento de informações é desperdiçado sob a forma de calor.
MELRAM
Cada célula da memória magnetoelétrica, ou MELRAM, é formada por dois componentes. O primeiro é um material piezoelétrico, a propriedade de certos materiais que se deformam em resposta a uma tensão elétrica e, inversamente, geram eletricidade sob tensão mecânica. O outro componente é uma estrutura em camadas caracterizada por uma alta magnetoelasticidade - sua magnetização depende da tensão mecânica a que estiver submetida.
Como a estrutura desse material misto é anisotrópica - isto é, é organizada de forma diferente ao longo de diferentes eixos, - ele pode ser magnetizado ao longo de duas direções, que correspondem ao zero e ao um lógicos do código binário. Em contraste com a DRAM, a RAM dinâmica tradicional, as células da memória magnetoelétrica são capazes de manter seu estado, não precisando ser continuamente reescritas, e não perdem informações quando a energia é desligada.
"Construímos uma peça de prova com cerca de 1 milímetro e mostramos que ela funciona. Vale ressaltar que as estruturas que utilizamos podem servir como base para células de memória de tamanho nano, cujas dimensões são semelhantes às das células de memória RAM normais," disse o professor Anton Churbanov, do Instituto de Física e Tecnologia de Moscou.
Técnica de leitura
Embora a mistura de materiais um tanto exóticos explique o sucesso desta nova abordagem, uma questão crucial para tornar práticas as memórias magnetoelétricas foi um novo mecanismo de leitura de dados criado pela equipe, fornecendo uma alternativa aos sofisticados sensores de campo magnético usados em protótipos anteriores, equipamentos esses que não podem ser facilmente miniaturizados.
Ocorre que, quando uma tensão é aplicada à célula de memória, a camada piezoelétrica da estrutura é deformada. Dependendo da natureza da tensão mecânica resultante, a magnetização assume uma orientação específica, armazenando a informação, e essa mudança de orientação do campo magnético eleva a tensão na célula.
Basta então detectar essa tensão para determinar o estado da célula de memória - se ela está com valor zero ou um. Um inconveniente é que a operação de leitura afeta a magnetização, exigindo regravar o valor que foi lido - nas RAM atuais, os dados têm que ser regravados continuamente, sendo lidos ou não. Os ganhos de economia de energia registrados no protótipo já levam em conta esta regravação pós-leitura.

Bibliografia:

Magnetoelectric write and read operations in a stress-mediated multiferroic memory cell
Alexey Klimov, Nicolas Tiercelin, Yannick Dusch, Stefano Giordano, Théo Mathurin, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky, Anton Churbanov, Sergei Nikitov
Applied Physics Letters
DOI: 10.1063/1.4983717